onsemi FDS86252
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Tendencia de 3 meses: -18.30%
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS86252 suministradas por sus distribuidores.
FDS86252 Series 150 V 4.5 A 55 mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET - SOIC-8
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 4.5A, 55mΩ
Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, N CH, 150V, 4.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.4V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:20A
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintaiin superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance955 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time1.6 ns
Threshold Voltage3.4 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4 mm
Width5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento