onsemi FDS6299S
$ 1.755
Obsolete
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Componentes relacionados
InfineonIRF8734PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4166DY-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS6299S suministradas por sus distribuidores.
3W(Ta) 3V@1mA 81nC@ 10V 1individualNChannel 30V 3.9mΩ@ 21A,10V 3.88pF@15V SOIC-8 SMD mount
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC RoHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 30V N-Ch PowerT SyncFET
30V, NCH POWER TRENCH SYNCFET <AZ
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
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