onsemi FDPF44N25TRDTU
$ 1.204
Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDPF44N25TRDTU suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 44A, 69mΩ, TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F / N-Channel 250 V 44A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F (LG-Formed)
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Weight2.565 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time112 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.87 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max69 mΩ
Rise Time402 ns
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height21.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento