onsemi FDP2710-F085
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-08-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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InfineonIRFI4229PBF
250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a TO-220AB Full-Pak package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP2710-F085 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
N-Channel PowerTrench® MOSFET 250V, 50A, 47mΩ
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
403W(Tc) 30V 5V@ 250µA 101nC@ 10 V 1individualNChannel 250V 47mΩ@ 50A,10V 4A 5.69nF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchil Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time154 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance5.69 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation403 W
Rds On Max47 mΩ
Rise Time252 ns
Turn-Off Delay Time112 ns
Turn-On Delay Time80 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento