onsemi FDP075N15A-F102
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP14NF12FP
N-Channel 120V - 0.16Ohm - 14A - TO-220FP LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP075N15A-F102 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 150 V 7.5 mOhm 77 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-220-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.35 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation333 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation333 W
Rds On Max7.5 mΩ
Resistance6.25 MΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height19.85 mm
Length10.36 mm
Width4.672 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento