onsemi FDP053N08B-F102
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-06-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiFDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F / Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
InfineonIPA057N08N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Through Hole
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP053N08B-F102 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 120A, 5.3mΩ
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Resistance5.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.96 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation146 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation146 W
Rds On Max5.3 mΩ
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento