onsemi FDP023N08B-F102
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
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onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP023N08B-F102 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 / N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 242A, 2.35mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.00235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
245W(Tc) 20V 3.8V@ 250µA 195nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 2.35mΩ@ 75A,10V 120A 13.765nF@37.5V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.346 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance2.35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.765 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation245 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation245 W
Rds On Max2.35 mΩ
Rise Time71 ns
Turn-Off Delay Time111 ns
Turn-On Delay Time41 ns
Dimensions
Height18.95 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento