onsemi FDMT800120DC
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
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100V, N-Ch, 3.5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
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Single N-Channel 100 V 3.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMT800120DC suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 88, 120V, 128A, 4.2mΩ
3.2W(Ta)，156W(Tc) 20V 4V@ 250µA 107nC@ 10 V 1individualNChannel 120V 4.14mΩ@ 20A,10V 20A，129A 7.85nF@60V QFN SMD mount 8mm*8mm*900μm
MOSFET, N-CH, 120V, 128A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 128A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.00345ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.1V;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Weight248.52072 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max4.14 mΩ
Rise Time18 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height1.02 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento