onsemi FDMS8672AS
$ 0.703
Obsolete
Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDMS8672AS | 28.165 | 399 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS8672AS | 41.348 | 10h | |||||||||
| Microchip USA | FDMS8672AS | 363 | 600 | Bulk | 2d | |||||||
| Win Source | WS-FDMS8672AS | 18.934 | 130 | 11h | ||||||||
| ICPartonline | FDMS8672AS | 5667 | >1wk |
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Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS8672AS suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-Channel PowerTrenchR SyncFETTM 30V 28A 5.0mΩ Power-56-8
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin Power 56 T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
The FDMS8672AS has been designed to minimize losses inpower conversion application. Advancements in both silicon andpackage technologies have been combined to offer the lowestrDS(on) while maintaining excellent switching performance. Thisdevice has the added benefit of an efficient monolithic Schottkybody diode.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento