onsemi FDMS86500DC
$ 1.93
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMS86500DC | 9000 | 582 | 2d | ||||||||
| Newark | FDMS86500DC | 4372 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMS86500DC | 3000 | 186 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS86500DC | 3543 | 1d | |||||||||
| DigiKey | FDMS86500DCFSCT-ND | 3201 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTD30NF06LT4
N-Channel 60V - 0.022Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTD35NF06T4
N-Channel 60V - 0.018Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS86500DC suministradas por sus distribuidores.
PT7 60V/20V Nch Dual Cool PowerTrench MOSFET - 8LD, DUAL COOL PQFN, JEDEC MO-240 AA, 5.0 X 6.0MM
N-Channel Power Trench® MOSFET, Dual CoolTM 56, 60V, 108A, 2.3mΩ
N-Channel 60V 108A 0.0023 Ohm SMT PowerTrench Mosfet - Dual Cool-56
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 60V, 108A, DUAL COOL 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:108A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremelylow Junction-to-Ambient thermal resistance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.1 mm
Width5.85 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento