onsemi FDMS86310
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS86310 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
Single N-Channel 80 V 7.2 mOhm 78 nC 96 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and bodydiode reverse recovery performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -16.78%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.8 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width5.85 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento