onsemi FDMS86202ET120
$ 3.664
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDMS86202ET120 | 68 | 15h | |||||||||
| DigiKey | FDMS86202ET120CT-ND | 2545 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FDMS86202ET120 | 9787 | 12h | |||||||||
| Newark | FDMS86202ET120 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDMS86202ET120 | 0 | 750 | Bulk |
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTL110N10F7
N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH130N10F3-2
N-channel 100 V, 7.8 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS86202ET120 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 102A, 7.2mΩ
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power QFN EP T/R
PT5 120/20V Nch Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, VARIATION AA, 5.
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 / N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 120V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)102 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.585 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max7.2 mΩ
Rise Time6 ns
Turn-Off Delay Time27.2 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento