onsemi FDMS86182
$ 1.08
Production
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -96.04%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Modelos CAD
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS86182 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 78A, 7.2mΩ
MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN / Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 100V 78A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -96.04%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)78 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento