onsemi FDMS86180
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS86180 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 151A, 3.2mΩ
N-Channel 100 V 3.2 mOhmShielded Gate PowerTrench Mosfet - Power56
Transistor MOSFET N-CH 100V 151A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 151A I(D), 100V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V Drain to Source Voltage 151A Continuous Drain Current 138W Power Dissipation Surface Mount 8-Pin PQFN T/R
Embedded - Microcontrollers 3 (168 Hours) 20-LSSOP (0.173, 4.40mm Width) 14 1K x 8 Internal DMA, POR, PWM, WDT Surface Mount Tape & Reel (TR) 16-Bit IC MCU 16BIT 12KB FLASH 20LSSOP
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.28%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)151 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation138 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation138 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento