onsemi FDMS3008SDC
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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VishaySI7336ADP-T1-E3
Single N-Channel 30 V 0.003 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
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Si7336ADP Series 30 V 3 mohm Surface Mount N-Channel Mosfet - POWERPAK-SO-8
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS3008SDC suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM, Dual CoolTM 56, 30V, 65A, 2.6mΩ
N-CHANNEL DUAL COOL 56 POWERTRENCH SYNCFET Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.52 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation78 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time4.7 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.1 mm
Width5.85 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento