onsemi FDMC86260
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC86260 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, Shielded Gate, N Channel, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Surface Mount
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 25A, 34mΩ
N-Channel 150 V 16 A 34 MO Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 33
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
MOSFET, N-CH, 25A, 150V, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 25A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.7V; Powe
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -12.96%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max34 mΩ
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height850 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento