onsemi FDMC86102LZ
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC86102LZ suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 22A, 24mΩ
MOSFET, N CH, 100V, 22A, POWER 33-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:41W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingGold, Silver
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 MΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.1 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento