onsemi FDMC8360L
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
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VishaySIR640DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 60A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC8360L suministradas por sus distribuidores.
PT8 N-ch 40/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 40V, 80A, 2.1mΩ
Single N-Channel 40 V 2.3 W 80 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 33-8
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
MOSFET, N-CH, 40V, 80A, POWER 33-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.795 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation54 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height750 µm
Length3.4 mm
Width3.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento