onsemi FDMC7208S
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-07-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySIS472DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI4174DY-T1-GE3
30V 17A 9.5m´Î@10V10A 5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC7208S suministradas por sus distribuidores.
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, Q1:30V, 12A, 9MOHM
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 26A 8-Pin Power 33 T/R
Avnet Japan
onsemi NChannel EnhancedMOSTube PowerTrench, SyncFETseries, Vds=30 V, 12 A，16 A, Power 33encapsulation, surface mount, 8Pin
This device includes two 30V N-Channel MOSFETs in a dual Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) package. The package is enhanced for exceptional thermal performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Weight196 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.13 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation800 mW
Rds On Max9 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3 mm
Width3 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento