onsemi FDMC5614P
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC5614P suministradas por sus distribuidores.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -60V, -13.5A, 100mΩ
P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V-20V).
MOSFET, P, SMD, MLP; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-60V; Current, Id Cont:5.7A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-1.95V; Case Style:Power 33; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:23A; Marking, SMD:5614P; Pins, No. of:8; Power Dissipation:2.1W; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs th Max:-3V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight200 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.7 A
Current Rating-5.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 MΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.95 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height725 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento