onsemi FDMC0310AS
Obsolete
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -81.63%
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0 modelos disponibles
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMC0310AS suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 21A, 4.4mΩ
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
The FDMC0310AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.This device has the added benefit of an efficient monolithic schottky body diode.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -81.63%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.165 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max4.4 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento