onsemi FDMA3028N
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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Dual N-Channel 30 V 63 mOhm 2.8 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
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Diodes Inc.DMN3065LW-7
Mosfet Bvdss: 25V~30V Sot323 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3065LW-7
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMA3028N suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 3.8A, 68mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 3.8A 6-Pin MicroFET T/R
Dual N-Channel Power Trench MOSFET - 6LD,MLP,DUAL,NON-JEDEC,2MM SQUARE,DUAL DAP
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This device is designed specifically as a single package solution for dual switching requirements in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent N-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight40 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance375 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation700 mW
Rds On Max68 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time5.3 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width2 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento