onsemi FDMA1027P
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMA1027P suministradas por sus distribuidores.
Transistor, mosfet, matched Pair, p-Channel,20V V(Br)Dss,2.2A I(D),llcc |Onsemi FDMA1027P
PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.0A, 120mΩ
Dual P-Channel 20 V 120 mO 4 nC SMT PowerTrench® Mosfet - MicroFET 2x2
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC
DC DC Converters 1 (Unlimited) 1 4-SIP Module Through Hole Isolated Module ITE (Commercial) ECONOLINE RI3 (3W) -40°C~85°C 0.45Lx0.30W x 0.40 H 11.4mmx7.6mmx10.2mm CONV DC/DC 3W 05VIN 15VOUT THT S
This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible.The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for it's physical size and is well suited to linear mode applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight40 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance435 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation700 mW
Rds On Max120 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width2 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento