onsemi FDH055N15A
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiHUFA75852G3-F085
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTW120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDH055N15A suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 150V, 167A, 5.9mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 150V 167A 3-Pin TO-247 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 156A I(D), 150V, 0.0059ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
SAW Filters Tape & Reel (TR) 1 (Unlimited) 6-SMD, No Lead Surface Mount 0.118Lx0.118W 3.00mmx3.00mm Remote Control 0.043 1.10mm 2.2dB 915MHz FILTER SAW 915MHZ 6SMD
MOSFET, N-CH, 150V, 156A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 156A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)156 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance5.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.445 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation429 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements2
Power Dissipation429 W
Rds On Max5.9 mΩ
Rise Time67 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length20.82 mm
Width15.87 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento