onsemi FDD8796
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-03-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDD8796 suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 5.7mΩ
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
88W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 52nC@ 10V 1individualNChannel 25V 5.7mΩ@ 35A,10V 35A 2.61nF@13V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low r DS(on) and fast switching speed.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.17%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.61 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation88 W
Rds On Max5.7 mΩ
Resistance5.7 MΩ
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento