onsemi FDD86250-F085
$ 1.112
Production
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -12.08%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-09-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD86250-F085 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ
Transistor MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel Sheilded Gate PowerTrench® MOSFET 150V 50A
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
onsemi NMOS, Vds=150 V, 50 A, DPAK (TO-252), , 3
Nmos Dpak 150V 22 Mohm |Onsemi FDD86250-F085
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 150V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.0194ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -12.08%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento