onsemi FDD3510H
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2021-12-24
LTD Date2021-12-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
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STMicroelectronicsSTD15NF10T4
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Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
STMicroelectronicsSTD12NF06T4
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDD3510H suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R / MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Transistor MOSFET Array N/P-CH 80V 13.9A 5-Pin DPAK T/R
Dual N/P-Channel 80 V 80 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-5
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 80V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
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These dual N and P-Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 MΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento