onsemi FDD18N20LZ
$ 0.964
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDD18N20LZ | 2500 | 2500 | 16h | ||||||||
| Newark | FDD18N20LZ | 2210 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDD18N20LZ | 2500 | 50 | |||||||||
| Master Electronics | FDD18N20LZ | 2500 | 25 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDD18N20LZ | 2500 | 25 | Bulk |
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Fichas técnicas y documentos
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 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD18N20LZ suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, UniFETTM, 200 V, 16 A, 125 mΩ, DPAK
N-Channel 200 V 125 mOhm 40 nC Surface Mount UniFET Mosfet - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Common Mode Chokes Tape & Reel (TR) 2 Surface Mount 0805 (2012 Metric), 4 PC Pad 1 (Unlimited) 0.079Lx0.049W 2.00mmx1.25mm 3Ohm EXC34 -40°C~85°C CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD
MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Po
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendencia de 3 meses: -23.10%
Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.575 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation89 W
Rds On Max125 mΩ
Resistance125 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento