onsemi FDD1600N10ALZD
$ 0.479
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 512-FDD1600N10ALZD | 834 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | FDD1600N10ALZD | 19.759 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-FDD1600N10ALZD | 2780 | 40 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDD1600N10ALZD | 23.602 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Ansinor | FDD1600N10ALZD | 19.378 | 1 | 1h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMC3021LK4-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 14A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC3021LK4-13
Diodes Inc.DMC4029SK4-13
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel/P-Channel 40V 11.8A/8.6A 4-Pin TO-252 T/R
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD1600N10ALZD suministradas por sus distribuidores.
BoostPak (N-Channel PowerTrench® MOSFET + Diode) 100 V, 6.8 A, 160 mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5L
TAPE REEL/PT5 100V Logic BoostFET
FDD1600N10ALZD, SINGLE MOSFETS;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.The NP diode is hyperfast rectifier with low forward voltage drop and excellent switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-5
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance225 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation14.9 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation14.9 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time2 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento