onsemi FDC8878
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDC8878 suministradas por sus distribuidores.
In a Pack of 20, N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC8878
N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 8.0 A, 16 mΩ
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance.
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Po
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.04 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation800 mW
Rds On Max16 mΩ
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento