onsemi FDC640P
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-12-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FDC640P suministradas por sus distribuidores.
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V specified, -20V, -4.5A, 53mΩ
TRANSISTOR/PFET 20V 4.4A TSOP6 0.1OHM (V
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:4.5mA; On Resistance, Rds(on):0.053ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -23.93%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating-4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance890 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation800 mW
Rds On Max53 mΩ
Resistance53 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento