onsemi FDBL86063-F085
$ 4.049
Production
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Tendencia de 3 meses: -0.42%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-04-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FDBL86063-F085 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF / N-Channel 100 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 240A, 2.6mΩ
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 100V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, H-PSOF-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 240A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs:
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.42%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation357 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation357 W
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento