onsemi FDB060AN08A0
$ 1.706
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDB060AN08A0 | 29.600 | 800 | 2d | ||||||||
| Newark | FDB060AN08A0 | 169 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDB060AN08A0 | 30.400 | 800 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDB060AN08A0 | 302 | 1 | |||||||||
| DigiKey | FDB060AN08A0CT-ND | 2417 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-11-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFS7762TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIRFS7762PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB060AN08A0 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 75 V 6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet D2PAK-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 6mΩ
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:75V; Continuous Drain Current, Id:80A; On Resistance, Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-263AB ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation255 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time79 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento