onsemi FDB024N08BL7
$ 2.415
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB024N08BL7 | 3144 | 141 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDB024N08BL7 | 4159 | 14h | |||||||||
| DigiKey | FDB024N08BL7CT-ND | 4686 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FDB024N08BL7 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDB024N08BL7 | 0 | 10 | Bulk |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDB024N08BL7 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 80 V 246 W 178 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - TO-263-7
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 229A, 2.4mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation246 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation246 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time66 ns
Turn-Off Delay Time87 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Dimensions
Height4.9 mm
Length10.2 mm
Width9.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento