onsemi FDB0190N807L
$ 2.89
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB0190N807L | 800 | 108 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDB0190N807L | 585 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | FDB0190N807L | 42.400 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | FDB0190N807L | 825 | 6h | |||||||||
| DigiKey | FDB0190N807LCT-ND | 870 | 1 | Cut Tape |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -19.31%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDB0190N807L.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FDB0190N807L desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiFDB0170N607L
FDB0170N607L Series 60 V 300 A 1.4 mOhm N-Channel Power Trench Mosfet - D2PAK-7
InfineonIRFS7530TRL7PP
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRFS7730-7PPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB0190N807L suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 270A, 1.7mΩ
FDB0190 Series 80 V 270 A 1.7 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - D²PAK-7
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L MOSFET Transistor, N Channel, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 VNew
Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 80V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:270A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.9V RoHS Compliant: Yes
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior ruggedness and switching performance for industrial applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -19.31%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)270 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance19.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max1.7 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.9 V
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height4.9 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDB0190N807L.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento