onsemi FCPF9N60NT
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FCPF9N60NT | 7000 | 194 | |||||||||
| Rochester Electronics | FCPF9N60NT | 12.980 | 11h | |||||||||
| Flip Electronics | FCPF9N60NT | 2812 | 6d | |||||||||
| Avnet | FCPF9N60NT | 0 | 725 | 13h | ||||||||
| Mouser | 512-FCPF9N60NT | 774 | 1 | Tube |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FCPF9N60NT suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 9 A, 385 mΩ, TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance385 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29.8 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation29.8 W
Rds On Max385 mΩ
Rise Time8.7 ns
Turn-Off Delay Time36.9 ns
Turn-On Delay Time12.7 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento