onsemi FCP150N65F
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishaySIHF28N60EF-GE3
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
VishaySIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E Series 500 V 26 A 145 mOhm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
VishaySIHA25N50E-E3
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronicsSTF34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
Descripciones
Descripciones de onsemi FCP150N65F suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650V, 24A, 150mΩ, TO-220
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Through Hole
298W(Tc) 20V 5V@2.4mA 93nC@ 10V 1individualNChannel 650V 150mΩ@ 12A,10V 24A 3.737nF@100V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. SuperFET II FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.737 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation298 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height16.3 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento