onsemi FCP067N65S3

Name: onsemi FCP067N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCP067N65S3

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-220

$ 3.55

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Future Electronics	FCP067N65S3	800	800	Tube				3,660	3,610
Newark	FCP067N65S3	476	1		10,000	8,290	6,980	6,360	6,360
Verical	FCP067N65S3	630	2			3,492	3,492	3,492	3,492
Arrow Electronics	FCP067N65S3	630	1		3,492	3,492	3,492	3,492	3,492
DigiKey	FCP067N65S3-ND	565	1	Tube	7,920	7,920	3,947	3,384	3,384

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Master Electronics

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2016-02-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi FCP067N65S3 suministradas por sus distribuidores.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-220

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DigiKey

onsemi NMOS, Vds=650 V, 44 A, TO-220, , 3

UnikeyIC

Mosfet, N-Ch, 650V, 44A, To-220-3L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.059Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCP067N65S3

Newark

SuperFET® III MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brandnew high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advancedtechnology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dtrate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency

Fairchild Semiconductor

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Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)44 A

Drain to Source Breakdown Voltage650 V

Drain to Source Resistance67 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance3.09 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation312 W

Min Breakdown Voltage650 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation312 W

Rds On Max67 mΩ

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4.5 V

Turn-Off Delay Time89 ns

Turn-On Delay Time26 ns

Dimensions

Height20.4 mm

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Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Rohs Statement3 páginasHace 5 años

Reach Statement8 páginasHace 11 años

Rohs Statement1 páginasHace 13 años

Rohs Statement1 páginasHace 14 años

Reach Statement2 páginasHace 13 años

Rohs StatementN/AN/A