onsemi FCH070N60E
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FCH070N60E suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 52 A, 70 mΩ, TO-247
SuperFET2 600V slow version - TO-247,MOLDED,3 LEAD,JEDEC VARIATION AB
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET easy-drive series offers slightly slower rise and fall times compared to the SuperFET II MOSFET series. Noted by the "E" part number suffix, this family helps manage EMI issues and allows for easier design implementation. For faster switching in applications where switching losses must be at an absolute minimum, please consider the Super-FET II MOSFET series.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance4.925 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation481 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max70 mΩ
Schedule B8541290080
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento