onsemi FCD360N65S3R0
$ 1.187
Production
Precio y existencias
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Tendencia de 3 meses: -0.12%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-03-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FCD360N65S3R0 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
onsemi NMOS, Vds=650 V, 10 A, DPAK (TO-252), , 3
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
650V 10A 036Ohms N Channel TO-252 DPAK
Mosfet, N-Ch, 650V, 10A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.31Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCD360N65S3R0
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.12%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento