onsemi BUX85G
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2026-01-06
LTD Date2026-07-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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Diodes Inc.APT13005DTF-G1
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi BUX85G suministradas por sus distribuidores.
ON SEMI BUX85G NPN HIGH VOLTAGE BIPOLAR TRANSISTOR, 2 A, 450 V, 3-PIN TO-220AB
2.0 A, 450 V 50 W NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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450V 50W 2A 50@100mA5V 4MHz 1V@1A200mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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The BUX85 is designed for high voltage high speed power switching applications like converters inverters switching regulators motor control systems.
BIPOLAR, TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450V; Transition Frequency ft: 4MHz; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Curr; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min30
Max Collector Current2 A
Max Frequency4 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation50 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)450 V
Dimensions
Height19.85 mm
Length10.2616 mm
Width4.826 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento