onsemi BF245B
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi BF245B desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1976-07-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-03-31
LTD Date2009-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi BF245B suministradas por sus distribuidores.
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92
UHF BAND Si N-CHANNEL RF SMALL SIGNAL JFET TO-92
N-Channel Amplifiers / JFET N-CH 30V 15MA TO92
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk
RF JFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:15mA; Power Dissipation, Pd:0.350W; Package/Case:TO-92; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Breakdown Voltage, V(br)gss:-30V ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, JFET, N, TO-92; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:6mA to 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:8V; Power Dissipation Pd:350mW; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Application Code:HFA; Current Idss Max:15mA; Current Idss Min:6mA; Current Ig:10mA; Device Marking:BF245B; Drain Source Voltage Vds:30V; Forward Transconductance Gfs Max:6.5mA/V; Full Power Rating Temperature:25°C; Gfs Min:3mA/V; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:r; Pin Format:r; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight200 mg
Technical
Breakdown Voltage-30 V
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Current Rating10 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation350 mW
Voltage Rating30 V
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height4.58 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento