onsemi BDV65BG
$ 1.51
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
No hay datos disponibles
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi BDV65BG.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi BDV65BG desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi BDV65BG suministradas por sus distribuidores.
10 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Trans, Bjt, Single, Darlington, Npn; Available Until Stocks Are Exhausted |Onsemi BDV65BG
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BDV Series 100 V 10 A Complementary Silicon Power Darlington Transistor - TO-247
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-247; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 125W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transistor Cas
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 10 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 1000 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 100 / Power Dissipation (Pd) W = 125 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
No hay datos disponibles
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min1000
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation125 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi BDV65BG.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento