onsemi BD682STU
$ 0.225
Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
onsemiKSA1220YSTU
Tube Through Hole PNP KSA1220 Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 300mA 5V 1.2A 1.2W 175MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi BD682STU suministradas por sus distribuidores.
4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistor, Pnp, 100V, 4A, To225 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD682STU
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR Transistor, PNP, 100V, 4A, TO225;
PNP Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage-2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current-4 A
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min750
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current4 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation14 W
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento