onsemi BCW65ALT1G
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
835,071
802,840
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
32 V
32 V
Max Collector Current
800 mA
800 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
hFE Min
35
35
Power Dissipation
300 mW
300 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-13-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi BCW65ALT1G suministradas por sus distribuidores.
ON SEMI BCW65ALT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.8 A, 32 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
BCW Series 32 V 800 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
NPN Bipolar Transistor hFE 100 to 250
TRANSISTOR, NPN, 32V, 0.8A, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 32V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Tra
Bipolar Transistor, Npn, 32V Sot-23; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:32V; Continuous Collector Current:800Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BCW65ALT1G
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min35
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)32 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento