onsemi BC848BWT1G
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NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descripciones
Descripciones de onsemi BC848BWT1G suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ON SEMI BC848BWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SC-70
ON SEMICONDUCTOR - BC848BWT1G - RF TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MHZ, SOT-323, FULL REEL
Bipolar - Rf Transistor, Npn, 30 V, 100 Mhz, 150 Mw, 100 Ma, 200 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC848BWT1G
BC Series 65 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-323
NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.
TRANS, NPN, 30V, 0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; RF Transistor Case: SC-70; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -55°C; Transistor Case Style: SOT-323
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento