onsemi BC635ZL1
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Componentes relacionados
onsemiBC337-16RL1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiBC337-16ZL1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descripciones
Descripciones de onsemi BC635ZL1 suministradas por sus distribuidores.
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 1A 625mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN 625mW 5V 100nA 45V 45V 1A TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
Trans GP BJT NPN 45V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min40
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height5.33 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento