onsemi BC549BTA
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Production
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Tendencia de 3 meses: -2.12%
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi BC549BTA suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC549 Series 30 V 100 mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92 82C0469;
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 100mA HFE/450
General Purpose Transistor, TO-92, NPN, 30V
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; T
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.12%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento