onsemi AFGB40T65SQDN
$ 2.666
Production
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi AFGB40T65SQDN suministradas por sus distribuidores.
IGBT, 650V FS4 High speed version, for OBC application in D2pak 650V, 40A, D2PAK
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor
Igbt, 650V, 80A, 238W, To-263; Dc Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.6V; Power Dissipation Pd:238W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-263; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Onsemi AFGB40T65SQDN
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.14%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation238 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation238 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time75.2 ns
Turn-On Delay Time17.6 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento