onsemi 4N32VM
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2001-05-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi 4N32VM suministradas por sus distribuidores.
6-Pin DIP General Purpose Photodarlington Optocoupler. ONSSPCISTNJZ8E4V;
4N32 Series Single Channel 30 V 4170 Vrms Photodarlington Optocoupler - DIP-6
30V 4170V 150mA 1V@2mA,8mA 1 3V 1.2V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White
Avnet Japan
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M and TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon planar photodarlington.
OPTOCOUPLER, DARLINGTON O/P; No. of Channels:1; Isolation Voltage:7.5kV; Optocoupler Output Type:Photodarlington; Input Current:10mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:DIP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Current If CTR:10mA; Current Transfer Ratio Min:500%; Fall Time tf:100µs; Operating Temperature Range:-40°C to +100°C; Output Type:Photodarlington; Rise Time:5µs
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1 V
Current Transfer Ratio500 %
Dark Current100 nA
Fall Time100 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Input Current10 mA
Isolation Voltage4170 Vrms
Max Collector Current150 mA
Max Input Current80 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel150 mA
Output Voltage30 V
Power Dissipation250 mW
Reverse Breakdown Voltage3 V
Reverse Voltage (DC)3 V
Rise Time5 µs
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento